iPhone 15 Pro過熱 臺積電3奈米害的?韓媒竊喜:三星撿到槍

iPhone 15 Pro過熱 臺積電3奈米害的?韓媒竊喜:三星撿到槍

蘋果iPhone 15系列爆出機身過熱問題。(圖/美聯社)

蘋果推出iPhone 15 Pro系列頻頻爆出過熱問題,韓媒BusinessKorea撰文指出,過熱恐怕跟臺積電以3奈米制程技術代工的A17 Pro處理器有關,三星或許有可乘之機。

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有大陸用戶近日反映,用iPhone 15 Pro執行高階遊戲後,30分鐘內手機溫度竟然飆升至48度C,報導指出,晶片的這種過熱現象,通常表示製程存在設計缺陷,例如未能控制漏電流(power leakage)。

報導引述業內人士說法指出,臺積電的製程可能有問題,這種懷疑背後的一個原因是,有些人認爲傳統的「鰭式場效電晶體(FinFET)」製程已經達到了極限。該項技術在2011年推出,直到4奈米爲止都是晶片設計不可或缺的技術,臺積電被譽爲FinFET工藝大師,一直引領業界,然而,一旦製程升級至3奈米以下,以FinFET技術控制電流變得極具挑戰性。

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更大的擔憂是,如果第一代3奈米產品有缺陷,基於相同技術的後續製程也可能會有問題。而臺積電已宣佈推出數個3奈米後續製程,包括接續第一代「N3B」的第二代「N3E」。

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報導提到,三星電子先前在5奈米制程上面臨挑戰,並在後續的5奈米接續製程及類似的4奈米制程遭遇挫折,這也導致Galaxy S22內建的晶片面臨過熱問題,最終促使高通等大客戶轉單臺積電,使臺積電、三星的市佔差距在上一季拉開50.3個百分點。

三星爲了挽回頹勢,後將3奈米改爲「環繞式閘極」(GAA)製程,這種架構有更多控制介面,能改善電流控制、減少電力消耗,並將性能效率提升約10%。

根據Hi Investment & Securities預計,三星3奈米良率將超過60%,相比之下,臺積電的3奈米良率約爲55%,有人擔心,如果市場對臺積電3奈米制程良率存疑,主要客戶可能會同時採用或轉向三星產品。

報導稱,臺積電已坦承FinFET的侷限性,並宣佈2奈米也會轉換至GAA製程。不過,這項舉措可能會延後,因爲臺積電最初計劃在2025年大規模量產2奈米晶片,但在臺灣的2奈米工廠建設卻出現延遲。

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